ZHENGZHOU SONGYU HIGH TEMPERATURE TECHNOLOGY CO.,LTD william@songyuht.com 86-0371-6289-6370
หลักการทำงานของแท่งซิลิคอนคาร์บอนนั้นขึ้นอยู่กับคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำและคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีของวัตถุดิบหลัก ซึ่งก็คือซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูง จากมุมมองของการนำไฟฟ้า ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีช่องว่างพลังงานกว้าง ที่อุณหภูมิห้อง มีพาหะอิสระน้อยและความต้านทานสูง หลังจากเปิดเครื่อง อิเล็กตรอนจะดูดซับพลังงานและกระโดดไปยังแถบนำไฟฟ้าเพื่อสร้างกระแส การสั่นสะเทือนของโครงข่ายช่วยในการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนเพื่อลดความต้านทาน และเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น ความกว้างของช่องว่างพลังงานจะลดลง การเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของพาหะทำให้ความต้านทานเปลี่ยนแปลงไปพร้อมกับสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเชิงลบ ในแง่ของกลไกการให้ความร้อน ตามกฎของจูล เมื่อกระแสไฟฟ้าไหลผ่านแท่งซิลิคอนคาร์บอน การชนกันระหว่างพาหะและโครงข่ายจะสร้างความร้อน
ในระหว่างกระบวนการทำงาน ช่วงอุณหภูมิที่แตกต่างกันจะแสดงลักษณะที่แตกต่างกัน: ความต้านทานจะลดลงอย่างช้าๆ จากอุณหภูมิห้องถึง 400℃; ความต้านทานจะลดลงอย่างมากจาก 400-700℃ และอัตราการเกิดออกซิเดชันจะเร่งขึ้น ซึ่งต้องมีการเพิ่มอุณหภูมิอย่างรวดเร็วเพื่อข้าม; เหนือ 700℃ ฟิล์มป้องกันซิลิคอนไดออกไซด์หนาแน่นจะเกิดขึ้นบนพื้นผิว อัตราการเกิดออกซิเดชันจะช้าลง และเข้าสู่พื้นที่ทำงานที่เสถียร เพื่อให้มั่นใจถึงเสถียรภาพของพลังงาน จำเป็นต้องมีหม้อแปลงไฟฟ้าแบบปรับได้หรือตัวควบคุมพลังงานไทริสเตอร์เพื่อปรับแรงดันไฟฟ้าแบบเรียลไทม์ตามอุณหภูมิ นอกจากนี้ การนำความร้อนสูงของแท่งซิลิคอนคาร์บอนช่วยให้ความร้อนถูกส่งไปยังพื้นผิวได้อย่างรวดเร็ว ซึ่งจะทำให้วัตถุที่ถูกให้ความร้อนร้อนขึ้นผ่านการแผ่รังสีและการพาความร้อน ฟิล์มป้องกันซิลิคอนไดออกไซด์ที่สร้างขึ้นเองบนพื้นผิวสามารถป้องกันออกซิเจนจากการแทรกซึมและยืดอายุการใช้งาน อย่างไรก็ตาม เมื่อความต้านทานเพิ่มขึ้นอย่างผิดปกติ ความเค้นจากความร้อนทำให้เกิดการแตกหักทางกล หรือการกัดกร่อนทางเคมีทำลายฟิล์มออกไซด์ แท่งซิลิคอนคาร์บอนจะล้มเหลว
